日本京瓷公司（Kyocera）日前宣告，其成功开发了一种全新的工艺，用于出产micro LED（和微型激光）器材。该工艺根据硅晶片上氮化镓（GaN）层的横向成长，以约束大部分区域的缺点。

  根本进程有三个过程。首要在硅晶片上成长氮化镓层。第二步是涂上具有水平空隙的掩模。第三步是持续成长氮化镓层。缺点会集在开口核，但其他成长区域根本上没有缺点。实践的micro LED器材由低缺点区域制作。

  京瓷表明，该新工艺有三大优势。首要，器材是由低缺点氮化镓在宽面积上制成的，具有共同的高品质。其次，因为掩模层按捺了氮化镓和硅衬底之间的结合，所以很简单将氮化镓器材拉出晶片。最终，新工艺有助于从相对廉价的硅衬底成功且可靠地别离氮化镓器材层，这将大大降造本钱。